SK하이닉스, 업계 최고속 ‘HBM2E’ 개발

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    최종편집시간 : 2019년 09월 23일 20:49:38
    SK하이닉스, 업계 최고속 ‘HBM2E’ 개발
    3.6Gbps 처리 속도 구현...초당 460GB 데이터 처리 가능
    머신러닝·슈퍼컴퓨터·AI 등 메모리 반도체로 활용 전망
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    등록 : 2019-08-12 13:46
    이홍석 기자(redstone@dailian.co.kr)
    ▲ SK하이닉스 최고속 HBM2E D램.ⓒSK하이닉스
    3.6Gbps 처리 속도 구현...초당 460GB 데이터 처리 가능
    머신러닝·슈퍼컴퓨터·AI 등 메모리 반도체로 활용 전망


    SK하이닉스는 업계 최고속 ‘HBM2E’ D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

    이번에 개발한 HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품으로 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높인 것이 특징이다.

    HBM(High Bandwidth Memory)는 고대역폭 메모리로 실리콘 관통 전극(TSV·Through Silicon Via) 기술을 활용해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다.

    HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적 방식이 아닌, 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십 마이크로미터(um) 간격 수준으로 가까이 장착한다. 이로써 칩간 거리를 단축시켜 더욱 빠른 데이터 처리가 가능해진다.

    TSV는 D램 칩(Chip)에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다. 버퍼 칩 위에 여러 개의 D램 칩을 적층 한 뒤 전체 층을 관통하는 기둥형태의 이동 경로를 구성해 데이터·명령어·전류를 전달한다.

    일반적으로 기존에 사용되던 패키지 방식들보다 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄어드는 효과가 발생한다.

    SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 초당 3.6기가비트(Gb)의 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460기가바이트(GByte)의 데이터 처리가 가능하다.

    이는 풀HD(FHD·Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.

    HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 중앙처리장치(GPU)를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, 인공지능(AI)등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션으로 활용될 것으로 기대되고 있다.

    전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 “SK하이닉스는 지난 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을바탕으로 시장을 선도해왔다”며 “HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다”고 밝혔다.[데일리안 = 이홍석 기자]
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