'광폭행보' SK하이닉스, 이번엔 미국이다

중국, 모바일 솔루션 제품 소개 첫 대규모 행사

미국, '차세대 초고속 메모리 심포지엄' 개최

SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당 케빈 위드머(Kevin Widmer) 상무가 18일(현지시간) 미국 산호세에 위치한 미국법인에서 HBM에 대해 설명하고 있다.ⓒSK하이닉스

SK하이닉스의 광폭행보가 심상찮다. 중국 시장에서는 17일 모바일 솔루션 제품 위상강화를 위해 관련 제품을 대거 소개하는 대규모 행사를 처음 가진데 이어 이번엔 지구 반대편인 미국에서차세대 초고속 메모리 시장선도를 위해 박차를 가하고 있다.

SK하이닉스(대표 박성욱)는 18일(현지시간) 미국 산호세에 위치한 미국법인에서 ‘2014 SK하이닉스 HBM(High Bandwidth Memory, 초고속 메모리) 심포지엄’을 개최했다고 밝혔다.

이번 행사에는 관련 산업을 주도하는 20여 개 주요고객 및 파트너 업체에서 100여 명이 참여해 SK하이닉스의 HBM 기술에 대한 큰 관심을 드러냈다.

SK하이닉스는 지난해 말 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM을 업계 최초로 개발하고, 올해 상반기 고객들에게 샘플을 전달한 바 있다. TSV는 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식으로, 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있는 기술이다. 이번 심포지엄에서는 중장기 HBM 로드맵을 소개함으로써, 다양한 응용 분야의 고객들과 HBM 생태계 확대를 위한 협력을 강화할 수 있을 것으로 기대된다.

특히 SK하이닉스의 HBM 개발에 협력 중인 회사들도 직접 발표자로 참여해 이번 심포지엄에 의미를 더했다. HBM은 기능성 패키지 기판인 인터포저(회로 기판과 칩 사이에 들어가는 기능성 패키지 판으로, 특성이 다른 칩들을 한 데 결합할 수 있다) 위에, 여러 가지 기능을 가진 시스템을 하나의 칩 속에 집적한 반도체 SoC(System on Chip)와 함께 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급된다. 이 때문에 칩셋, 파운드리, 패키징 및 완제품 업체 등 고객 및 파트너와의 협업이 중요하다.

HBM을 SoC와 결합한 개념도.ⓒSK하이닉스

SK하이닉스가 현재 소개한 HBM은 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층한 형태다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 네트워크, 슈퍼컴퓨터, 서버 등으로 응용 범위가 확장될 전망이다.

SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당 강선국 수석은 “다양한 응용 분야의 고객 및 파트너들과 HBM에 대한 상호 이해를 높일 수 있는 좋은 기회였다”며 “협력 관계를 더욱 강화해 차세대 고성능, 저전력, 고용량 제품인 HBM 시장을 선도해나가겠다”고 밝혔다.