SK하이닉스, 중국 우시 확장팹 준공...중장기 경쟁력 확보

9500억원 투자...D램 생산능력 향상

기존 공장과 원 팹으로...생산∙운영 효율 강화

이석희 SK하이닉스 사장(왼쪽에서 아홉번째)이 18일 중국 우시 공장에서 개최된 확장팹(C2F) 준공식에서 궈위엔창 강소성 부성장(왼쪽에서 일곱번째), 리샤오민 우시시 서기(왼쪽에서 여덟번째), 최영삼 상하이 총영사(왼쪽에서 열번째) 등 주요 참석자들과 함께 공장 준공을 알리는 버튼을 누르고 있다.ⓒSK하이닉스

9500억원 투자...D램 생산능력 향상
기존 공장과 원 팹으로...생산∙운영 효율 강화

SK하이닉스가 중국 우시 생산라인을 확장하고 중장기 경쟁력을 확보했다. 미세공정 전환에 필요한 생산공간을 확보하면서 생산∙운영 효율을 강화했다.

SK하이닉스는 18일 중국 우시 공장에서 확장팹(C2F) 준공식을 개최했다고 밝혔다.

C2F는 기존 D램 생산라인인 C2를 확장한 것으로 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 회사측이 지난 2016년 생산라인 확장을 결정했다.

‘새로운 도약, 새로운 미래’라는 주제로 열린 이 날 준공식 행사에는 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다.

SK하이닉스는 지난 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 지난 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다.

당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다.

하지만 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해졌다. 이에 SK하이닉스는 2017년 6월부터 2019년 4월까지 총 9500억 원을 투입해 추가로 반도체 생산공간을 확보했다.

이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8000제곱미터(1만7500평·길이 316m·폭 180m·높이 51m)의 단층 팹(공장)으로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다.

SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이다.

강영수 SK하이닉스 우시FAB담당 전무는 “C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다“며 “C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산∙운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.


- 2016년 12월 우시 확장팹 건설 발표
- 2017년 06월 본공사 착수
- 2018년 11월 장비 반입 개시
- 2019년 04월 준공