中 HBM, 턱 밑까지 추격…韓·美 독점 구도 흔들리나

YMTC, CXMT, 화웨이 등 中업체, HBM 성과

삼성·하닉·마이크론 우위 시장서 '맹추격'

내년 HBM4서 격차 벌어질 가능성 높아

화웨이.ⓒ로이터/연합뉴스

중국이 미국 제재를 피해 '반도체 자립'에 속도를 내고 있다. YMTC, CXMT, 화웨이 등 주요 업체는 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 유의미한 진전을 이루며 기존 판도를 흔들고 있다.

6일 업계에 따르면 중국 화웨이는 최근 연례행사인 '화웨이 커넥트' 기조연설에서 향후 3년간의 인공지능(AI) 칩 개발 로드맵을 공개했다.

화웨이는 화웨이는 차세대 AI 칩 'Ascend 950'을 비용 효율형 '950PR'과 고성능형 '950DT'로 나눠 출시하며, 두 제품 모두 자체 개발한 HBM을 탑재한다고 밝혔다.

화웨이가 자체 개발한 HBM은 128GB 용량과 최대 1.6TB/s의 대역폭을 구현한다고 소개됐다. 업계는 현존 HBM3와 차세대 HBM4 사이 수준으로 보고 있다.

쉬즈쥔 화웨이 부회장 겸 순환회장은 "미국의 제재로 인해 TSMC에서 칩을 생산할 수 없어 단일 칩 성능은 여전히 엔비디아에 미치지 못한다"면서 "하지만 화웨이는 사람과 기계를 연결하는 데 30년 이상의 경험을 보유하고 있고 상호 연결 기술에 막대한 투자를 해 슈퍼 노드를 구축할 수 있는 획기적인 기술을 개발했다"고 설명했다.

화웨이가 자체 HBM과 AI 칩 개발 계획을 밝히면서, 중국 내 다른 주요 반도체 기업들의 추격 속도에도 관심이 쏠린다.

양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 D램 사업 영역을 넓혀 HBM 시장 진입을 준비하고 있다. 우한에 건설 중인 신규 반도체 공장의 일부를 D램 생산라인으로 전환하는 방안을 검토 중인 것으로 알려졌다. 칩을 층층이 쌓아 연결하는 고급 패키징 기술 TSV(실리콘관통전극) 개발에도 속도를 내고 있다.

중국 1위 D램 업체 창신메모리(CXMT)도 HBM 개발에 속도를 올리고 있다. 이미 HBM3 샘플 개발을 끝냈으며 내년 양산을 시작해 2027년에는 HBM3E 양산까지 계획하고 있다. YMTC와 CXMT가 각각 D램과 패키징 기술을 맡아 협력할 경우, 한국이 주도해온 HBM 시장을 정면으로 위협할 수 있다는 평가가 나온다.

중국 업체들의 추격이 가시화되는 가운데, 미국 HBM 시장의 강자 마이크론도 공격적 전략으로 경쟁에 불을 붙이고 있다.

시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 HBM 시장 점유율은 출하량 기준 SK 하이닉스 62%, 마이크론 21%, 삼성전자 17% 순으로 분석됐다. 1분기(마이크론 18%, 삼성전자 16%)에 이어 2분기에도 삼성전자를 앞선 것으로, 2분기 들어서는 격차를 더 벌렸다.

마이크론은 고객사가 요구하는 차세대 HBM4 성능도 확보했다며 내년 2분기부터 본격 양산을 예고했다. HBM 시장 3순위에 거론되던 마이크론의 기세가 매섭다.

한국은 현재까지 HBM 시장의 주도권을 장악해왔다. SK하이닉스와 삼성전자가 개발한 HBM은 엔비디아, AMD 등 글로벌 GPU 제조사에 공급 중이며, 안정적인 양산 능력과 검증된 성능이 강점이다.

하지만 마이크론이 시장 판도를 뒤흔든 데 이어 중국 업체들마저 추격에 속도를 올리고 있어, 차세대 HBM에서 승부를 봐야한다는 지적이다. 시장 전문가들은 내년 개화가 예정된 HBM4 시장이 승부처가 될 것이라고 본다.

현재 SK하이닉스는 HBM4 양산에 돌입했으며, 삼성전자도 엔비디아향 HBM3E 인증을 마치고 내년 HBM4 양산을 준비 중이다. 시장 전문가들은 내년 개화 예정인 HBM4 시장에서 향후 글로벌 주도권이 결정될 것으로 보고 있다.