[컨콜] 삼성전자 “하반기 EUV 적용 14나노 D램 양산”

삼성전자는 29일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “현재 D램을 15나노미터(nm,1nm는10억분의1m) 공정으로 생산하고 있는데 하반기에 극자외선(EUV) 장비를 활용한 14나노 양산이 계획돼있다”며 “이미 주요 칩셋업체들로부터 성능과 안정성을 인정을 받았다”고 밝혔다.

이어 “(삼성전자는) 업계를 선도하는 EUV 기술력을 보유하고 있다”며 “D램 기술 미세화, 기술패러다임 변화에 있어서 EUV 기술이 중요하기 때문에 우리의 경쟁력의 밑거름이 될 것”이라고 덧붙였다.