SK하이닉스 "올해 D램·낸드 시설 투자에 9.6조 투입"

당초 7조원에서 37% 늘려...지난해 대비 53% 증가

메모리 수요 증가로 청주·우시 공장 준공 앞당겨

SK하이닉스가 최근 전 세계 D램 및 낸드플래시 수요 증가에 따라 올해 관련 시설투자에 총 9조6000억원을 투입한다. 사진은 최태원 SK그룹 회장(오른쪽)이 지난 2015년 8월 경기도 이천 SK하이닉스 M14 공장 준공을 앞두고 생산 설비 가동 준비 상황을 점검하고 있는 모습.ⓒSK

SK하이닉스가 최근 전 세계 D램 및 낸드플래시 수요 증가에 따라 올해 관련 시설투자에 총 9조6000억원을 투입한다.

SK하이닉스는 26일 공시를 통해 올해 관련 시설투자에 총 9조6000억원을 투입한다고 밝혔다.

이는 당초 밝혔던 시설투자 규모 7조원에서 37% 늘린 것으로 지난해 6조2900억원에 비해서는 53%나 확대된 수치다.

SK하이닉스는 이 날 공시에서 "시장환경 변화에 적극적으로 대응하고 사업경쟁력 강화와 미래성장 기반 확보를 위해 해외법인을 포함한 올해 시설투자 계획을 변경한다"고 설명했다.

이는 충북 청주와 중국 우시 공장 준공을 앞당긴것과 관련이 있다. SK하이닉스는 전날 컨콜에서 충북 청주와 중국 우시의 클린룸을 내년 4분기 말까지 구축을 완료하갰다는 계획을 밝힌 바 있다.

이는 당초 우시 공장과 청주 공장이 각각 오는 2019년 4월과 6월 건설을 완료한다는 당초 계획보다 앞당겨진 것이다.

회사측이 클린룸 완공을 서두르는 것은 기존의 공정 전환만으로는 빅데이터·자율주행자동차·인공지능(AI) 등의 메모리 반도체 수요를 충족하기 어렵다는 판단에 따른 것으로 풀이된다.

최근 메모리 반도체 업계는 기술 개발과 생산 난도가 높아져 대규모 투자가 수반되지 않을 경우 생산량이 줄어들 수밖에 없고 이에 따라 업체들은 수익의 상당 부분을 시설투자에 투입하고 있으나 급증하는 수요를 감당하지 못하고 있다.