3나노 GAA 공정 설계 키트 배포
SAFETM-Cloud 서비스…팹리스 설계지원
신개념 고성능 반도체 구현 현실화
정은승 삼성전자 파운드리 사업부 사장이 14일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’에서 기조연설을 하고 있다. ⓒ 삼성전자
차세대 3나노 GAA(Gate-All-Around) 구조. GAA 구조는 전류가 흐르는 통로인 원통형 채널 전체를 게이트가 둘러싸고 있어 3면을 감싸는 지느러미 모양의 핀펫 구조에 비해 전류의 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있다. ⓒ 삼성전자
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