삼성전자, 2Q 반도체 반전 도모…초격차로 위기론 ‘정면돌파’

1Q 반도체 영업익 3조3700억…전년比 15.5% 감소

업계 최고 수준 EUV 기술력 확보…미세공정 경쟁력↑

“15나노 D램 생산량 늘릴 것…하반기엔 14나노 선봬”

이재용 삼성전자 부회장(오른쪽에서 두번째)이 지난해 10월 13일(현지시간) 네덜란드 에인트호번에 위치한 ASML 본사를 찾아 극자외선(EUV) 장비를 살펴보고 있다.ⓒ삼성전자

삼성전자가 1분기 반도체 시장에서 공정전환 여파로 잠시 주춤했지만 2분기부터는 초격차 기술력을 바탕으로 반전을 도모한다. 업계에서 기술 리더십을 지속적으로 가져가는 한편 원가경쟁력 강화를 통해 수익성 회복에 나선다는 계획이다.

삼성전자는 29일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “(삼성전자는) 업계를 선도하는 극자외선(EUV) 기술력을 보유하고 있다”며 “D램 기술 미세화, 기술패러다임 변화에 있어서 EUV 기술이 중요하기 때문에 우리의 경쟁력의 밑거름이 될 것”이라고 밝혔다.

이날 오전 삼성전자가 발표한 1분기 반도체 사업의 영업이익은 3조3700억원으로 전년 동기 대비 15.5% 줄었다. 매출은 19조원으로 같은 기간 대비 7.7% 늘었다. 메모리를 중심으로 출하량이 늘었지만 신규 라인 초기 비용 발생 등으로 이익이 감소했다는 설명이다.

삼성전자는 “공정전환을 위한 초기 비용 낸드 평균판매단가(ASP) 하락이 있었다”며 “2분기부터는 원가 개선이 이뤄져 실적 역시 하반기로 갈수록 긍정적 흐름을 보일 것으로 전망된다”고 설명했다.

특히 오스틴 공장 중단 여파로 파운드리 생산에도 차질이 빚어지며 적지 않은 손실이 발생했다.

회사측은 미국 텍사스 오스틴 공장 가동중단과 관련 “피해 규모는 웨이퍼 7만1000장 규모로 3000억~4000억원 정도로 추산된다”며 “현재는 사고 재발 방지를 위해 시와 용수전력회사 등과 협의 중”이라고 설명했다.

삼성전자는 이같은 부진을 만회하기 위해 업계 최고 수준의 기술력을 바탕으로 원가 시장 리더십 강화를 지속한다는 방침이다. 15나노미터(nm,1nm는10억분의1m) D램 등 첨단공정 제품의 생산량을 늘리고 적기에 제품을 판매하겠다는 설명이다. 특히 하반기부터는 극자외선(EUV) 공정을 적용한 14나노 D램도 선보일 계획이다.

회사측은 “현재 D램을 15나노공정으로 생산하고 있는데 하반기에 EUV 장비를 활용한 14나노 양산이 계획돼있다”며 “이미 주요 칩셋업체들로부터 성능과 안정성을 인정을 받았다”고 말했다.

삼성전자 파운드리 생산라인 전경.ⓒ삼성전자

낸드 플래시 시장에서도 업계를 최고 수준의 기술력을 바탕으로 영향력을 공고히 다져나간다는 계획이다.

회사측은 “7세대 V낸드 역시 비슷한 시기 양산 계획이 있다”며 “8세대 V낸드의 경우 연구소에선 이미 워킹다이(시제품)을 확보했고, 내년 하반기까진 양산까지 차질없이 진행되는 걸 목표로 하고 있다”라고 설명했다.

비메모리 역량 강화를 위한 파운드리 연구개발에도 보다 집중한다는 계획이다.

회사 측은 "반도체 파운드리 분야에서 3나노미터(nm) 2세대 공정 개발에 착수했다"며 "차세대 2.5차원(2.5D) 집적화 기술 개발을 완료했으며 5나노 기반 3D 집적회로(IC) 패키징 기술 개발도 착수했다"고 말했다.

다만 기술 리더십과 원가 경쟁력을 바탕으로 시장 상황에 대응하는 것을 기조로 하고 있는 만큼 인위적 인수합병 옵션은 고려하지 않는다며 선을 그었다.

회사 측은 인수합병(M&A) 등과 관련해 “낸드 전략에서 인위적인 합병 계획은 없고 기술 리더십이나 우위에 있는 원가 경쟁력 등을 바탕으로 적극 대응한다는 것이 당사의 기조”라며 “이 같은 핵심 경쟁력에 초점을 맞추고 낸드 전략을 지속해 나갈 계획”이라고 설명했다.

이어 “당사 제품에 대한 시장 반응이 좋다”며 “고부가 고용량 제품 바탕으로 고객사 니즈 충죽하고, 앞으로 낸드 시장에서 신뢰 받는 공급사 입지 다질 것”이라고 덧붙였다.

한편 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 2분기 D램 고정가격이 지난 1분기 대비 18%~23% 인상될 것으로 전망된다.