SK하이닉스 "10나노 후반대 D램 제품 개발에 집중"

3D 낸드 투자는 2~3분기에 본격화

SK하이닉스는 26일 2016년 1분기 실적 발표 컨퍼런스콜을 통해 "올해 D램 투자는 지난해에 비해 감소하겠지만 감소분을 1x나노(10나노 후반대) 제품 개발 시간을 줄이기 위한 설비투자에 집중, 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.

회사측은 3D 낸드플래시 투자와 관련해서는 올 2~3분기에 본격적으로 시작될 예정으로 이천 M10공장에서 신규 공장인 M14으로의 설비 이전이 지속될 것이라고 설명했다.

회사 측은 "M14는 2Z 나노(20나노 초반대) 중심 팹으로 운영할 예정"이라며 "2Z나노가 본격 양산되는 2·3분기부터 M10에서 M14로의 캐파 이전이 증가하게 될 것"이라고 밝혔다.