삼성전자 '초격차기술' 전략…경쟁사 추격 의지 꺾는다

전 세계 최초로 3세대 48단 수직구조 V낸드 시대 개막

경쟁사들 추격 허용하지 않겠다는 확고한 의지 표명

삼성전자 반도체 생산라인 직원들이 제품을 살펴보고 있다. ⓒ삼성전자

삼성전자가 세계 최초로 3세대(48단) 적층 기술을 적용한 256기가비트(Gb) 3D V낸드플래시 양산에 성공하면서 ‘초격차기술’ 전략이 힘을 발휘할 전망이다. 고성능 고효율 V낸드의 경쟁력을 한층 강화함으로써 경쟁사들의 추격 가능성조차 허용하지 않겠다는 것이다.

V낸드플래시 반도체는 정보 저장단위를 수직으로 쌓아 올리는 구조로 삼성전자가 이번에 내놓은 256Gb 3D V낸드플래시는 기존 2세대(32단) 대비 1.5배 더 쌓아 올리는 3세대 기술이 적용됐다.

3세대 V낸드는 셀이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫어 총 853억개의 이상의 셀을 고속 동작시키는 구조로 작동한다. 각 셀마다 3개의 데이터 (3비트)의 데이터를 저장할 수 있는 트리플레벨셀(TLC) 기술이 적용, 총 2560억개의 데이터를 읽고 쓸 수 있다.

현재 유일한 V낸드플래시 생산업체인 삼성전자는 이번 제품 출시로 '초격차기술' 전략을 통해 경쟁사들의 추격 가능성 조차 허용하지 않겠다는 각오다. 아직 경쟁사들이 V낸드플래시를 내놓고 있지 못한 상황에서 3세대까지 기술 진화에 성공하면서 격차를 더욱 벌렸다.

현재 낸드플래시 2~4위인 도비사(일본)·마이크론(미국)·SK하이닉스 등은 연내 V낸드 플래시 제품을 양산할 계획이다. 도시바와 SK하이닉스는 각각 연내에 제품 양산과 시제품 출시를 계획하고 있으며 마이크론은 인텔과 공동개발에 나서기로 한 상태다.

그러나 평면 낸드플래시에서도 미세공정이 쉽지 않은 상황에서 수직으로 쌓아올리는 구조는 불량 가능성이 더욱 높다. 또 지난 2013년 1세대 제품을 시작으로 한 단계씩 차근차근 과정을 밟아온 삼성과 달리 이들 업체들은 바로 48단 제품을 계획하고 있어 연내 양산이 가능할지는 아직 미지수다.

삼성전자는 3세대 V낸드플래시 제품 양산으로 지난해 34% 점유율로 1위를 차지하고 있는 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장에서의 입지도 더욱 공고해질 전망이다.

256Gb는 칩 하나로 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있고 기존 128Gb 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 테라바이트(TB)급 SSD 시장 대중화가 앞당겨질 전망이다.

삼성전자 측은 "하드디스크드라이브(HDD)가 SSD로 대체되는 속도가 더욱 빨라질 것"이라며 "2TB 이상의 소비자용 대용량 SSD도 새롭게 출시해 기업 고객뿐만 아니라 소비자용 SSD 시장점유율도 지속적으로 높여나갈 계획"이라고 밝혔다.