인텔, 하이-NA EUV 내년 도입…파운드리 기술 속도전

인텔, 하이-NA EUV 안정화 작업 돌입…1.4나노 공정 적용

하이(High)-NA 극자외선(EUV) 노광장비ⓒ인텔

인텔이 내년부터 하이(High)-NA 극자외선(EUV) 노광장비를 도입한다. 하이-NA EUV는 2나노 이하 초미세공정 구현에 꼭 필요한 장비로, 인텔은 남들 보다 한 발 앞서 1.4나노급 공정 양산에 뛰어들게 됐다.

인텔 파운드리(Intel Foundry)는 최근 하이 NA EUV 노광장비 조립이 완료됐다고 19일 밝혔다. 이 장비는 조정(calibration) 단계를 거쳐 인텔의 첨단 공정 로드맵에 활용될 예정이다.

인텔은 지난 15일 미디어라운드테이블에서 “기대보다 빠른 속도로 하이-NA EUV 장비(트윈스캔 EXE:5000)를 안정화하고 있으며, 생산라인에 본격적으로 투입하는 시기를 내년으로 앞당길 수 있게 됐다”며 “14A(1.4나노) 반도체 공정부터 하이-NA EUV가 본격적으로 활용될 것으로 예상된다”고 밝혔다.

앞서 인텔은 2022년 1분기 네덜란드 ASML과 하이 NA EUV 장비 도입 계약을 맺었다. 이후 ASML로부터 미국 오레곤 주 힐스보로 D1X 팹(fab·생산시설)에 ASML '트윈스캔 EXE:5000' 노광장비를 인도 받았다.

트윈스캔 EXE:5000은 2나노(나노미터·1㎚는 10억분의 1m)급 이하 초미세공정 구현에 꼭 필요한 장비로 대당 가격이 5000억원을 넘는다. 하이-NA EUV를 보유하고 있는 파운드리 기업은 현재 인텔이 유일하다. 대만 TSMC와 삼성전자도 이 장비를 발주했다.

마크 필립스(Mark Phillips) 인텔 펠로우 겸 인텔 파운드리 로직 기술 개발 부문 노광, 하드웨어 및 솔루션 담당 디렉터는 “하이 NA EUV 추가로, 인텔은 업계에서 가장 다방면의 노광 장비를 보유하게 됐으며 2025년 이후 인텔 18A를 넘어 미래 공정을 추진할 역량을 갖추게 됐다”고 밝혔다.

업계 최초로 하이 NA EUV를 도입하게 됨에 따라 인텔 파운드리는 칩 제조에서 이전에는 볼 수 없었던 정밀도와 확장성을 제공할 수 있게 됐으며, 자율주행이나 기타 첨단 기술 발전을 도모하는데 필수적인 혁신적인 기능을 갖춘 칩을 개발할 수 있게 됐다고 설명했다.