"美, 中 AI 반도체 기술 추가 통제…GAA·HBM 대상"

조 바이든 미국 대통령이 지난 3월 애리조나주 챈들러의 인텔 오코티요 캠퍼스를 방문해 반도체 등 첨단 기술에 대한 연설을 하고 있다. ⓒ 로이터/연합뉴스

미국 정부가 인공지능(AI) 분야에서 중국을 견제하기 위해 첨단 반도체 설계기술을 추가로 제한하는 방안을 검토 중이다. 고성능·저전력 AI 반도체 제작에 효율적인 게이트올어라운드(GAA) 기술과 ‘AI용 메모리’로 불리는 고대역폭메모리(HBM)의 수출을 통제하는 방안 등이 유력하게 거론된다.

블룸버그통신에 따르면 미 정부는 11일(현지시간) GAA로 알려진 최첨단 칩 설계 기술의 중국 접근을 차단하는 방안을 심의 중이라고 익명의 소식통들이 밝혔다. 이들 소식통은 “미국의 목표는 중국이 AI 모델을 구축하고 운영하는데 필요한 컴퓨팅 시스템을 조립하기 더 어렵게 만들고 (GAA) 기술이 상용화되기 전에 이를 차단하는 것”이라고 전했다.

GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 게이트(Gate)가 둘러싸는 형태로 기존 핀펫(FinFET) 공정보다 전력 효율성이 높고 반도체 크기를 더 소형화 할 수 있는 기술이다. 2022년 3㎚(나노미터·10억 분의 1m) 공정에서 삼성전자가 처음으로 이 기술을 도입했다. 엔비디아와 인텔 등은 현재 TSMC·삼성전자와 함께 내년부터 GAA 설계 반도체의 대량생산을 준비하고 있다.

미 상무부 산업안보국은 최근 기술자문위원회에 GAA 제한규정 초안을 보냈다고 소식통들은 전했다. 업계 전문가로 구성된 기술자문위는 규제 프로세스의 마지막 단계인 특정기술 매개변수에 대한 조언을 제공한다.

미 관련업계 관계자들은 그러나 상무부의 규제 초안이 지나치게 광범위하다는 우려를 제기했다. 블룸버그는 “이번 조치가 중국의 자체 GAA 반도체 개발 능력을 제한할 것인지, 더 나아가 해외 기업들이 중국 업체에 반도체 제품을 판매하는 것을 차단할 것인지는 확실하지 않다”고 전했다.

미 정부는 이와 함께 SK하이닉스와 마이크론 등이 생산하는 HBM의 대중 수출을 제한하는 방안도 초기단계에서 논의되는 것으로 알려졌다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결하여 기존 D램보다 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올린 것으로 ‘AI용 메모리’로 불린다.

미 정부가 AI 생태계를 구축하는 데 필요한 모든 반도체 기술 요소들을 들여다보고 있는 셈이다. 지나 러몬도 상무장관은 "AI 기술이 중국의 군사력을 강화할 수 있다"며 “미국이 필요한만큼 추가 조치를 취할 것”이라고 밝힌 바 있다. 그러나 미 정부가 최종 규제 결론을 내릴 시기는 미정이다.

이에 중국은 강하게 반발했다. 린젠 외교부 대변인은 12일 정례브리핑에서 미국을 겨냥해 "국제무역규칙과 글로벌 공급망의 안정성을 심각하게 훼손하고 있다"며 추가 규제 반대 입장을 밝혔다.