[컨콜] SK하이닉스 "HBM4, 일반 D램과의 전환율 3배 이상 증가"

SK하이닉스는 24일 '2024년 3분기 실적설명회'를 통해 "HBM은 고대역폭과 고성능 구현 위해 일반 D램 보다 다이 사이즈가 크다. 일반 D램 제품과 동일한 비트 생산 위해서는 더 많은 웨이퍼 캐파가 필요하다. HBM3E는 동일 용량 DDR 제품 보다 2~3배 가량 추가 웨이퍼 캐파가 필요하다. 12단은 8단 보다 패키징 난도 늘어나면서 성숙 수율도 떨어져 더 많은 캐파를 필요로 한다. HBM4로 전환되면 고성능 특성 구현 위해 다이 사이즈는 더 커지기 때문에 일반 D램과의 전환율은 3배 이상으로 증가할 것으로 보인다. 중장기적으로 D램 수요는 연평균 10% 중후반대 전망되고 있으며 HBM는 D램 평균을 크게 상회할 것으로 예상한다. HBM 수요 증가와 전환율 상승 감안하면 동일 비트 생산 위해 필요한 웨이퍼는 HBM 세대 변화에 따라 더 많이 요구될 것으로 보이고 일반 D램 공급량은 계속해서 제한될 것으로 예상된다"고 말했다.