삼성전자, 차세대 낸드 생산 효율 고심…투자로 정면돌파

다단화 위해선 공정변화 불가피…비용 증가 등 고민

SK하이닉스 인텔 낸드 품고 턱 밑 추격…경쟁 격화

업황 변동성 큰 메모리 시장…“선제적 투자만이 답”

삼성전자 중국 시안 반도체 공장에서 현지 직원들이 생산라인을 살펴보고 있는 모습(자료사진).ⓒ삼성전자

삼성전자가 차세대 낸드플래시 메모리 양산을 위해 생산 공정을 바꿀 것으로 예상되면서 이에 따른 생산 효율 저하를 어떻게 극복해 나갈지 관심이 모아진다. 업계에서는 삼성전자가 공격적인 투자를 바탕으로 낸드플래시 시장에서의 ‘초격차’를 이어나갈 것으로 기대하고 있다.

21일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 회로 적층수가 176단인 7세대 낸드플래시 개발 중이다. 당초 목표는 192단이었으나 176단으로 계획을 변경했다.

이에 따라 공정 방식도 싱글 스택에서 더블 스택으로 변화가 있을 것으로 보인다. 낸드플래시는 적층이 많아질수록 저장할 수 있는 정보량도 늘어나기 때문에 다단화가 곧 경쟁력으로 직결된다.

하지만 더블 스택은 싱글 스택 대비 공정 단계가 늘어나는 만큼 생산 효율이 떨어질 수밖에 없다. 비용도 30% 까지 상승하는 걸로 알려져 원가경쟁력 측면에서도 불리하다.

반도체 업계 관계자는 “낸드플래시는 스택 구조가 높아질수록 공정 기간이 길어질 수밖에 없다”며 “이는 고층빌딩이 저층 빌딩보다 준공에 더 많은 시간이 소요되는 것에 비유할 수 있다”고 설명했다.

이어 “다단화가 진행되면 수율에 영향을 미치는 변수 역시 함께 늘어난다”며 “품질관리도 까다로워지기 때문에 비용 증가로 이어질 수 있다”고 덧붙였다.

낸드플래시 시장 경쟁이 격화되고 있는 점을 감안한다면 삼성전자에게 있어 생산효율 저하는 상당한 고민거리가 될 수밖에 없다. 중국 업체들의 6세대 양산이 임박한데다 SK하이닉스를 비롯한 경쟁사들의 추격도 만만치 않기 때문이다.

특히 인텔의 낸드플래시 사업 인수를 결정한 SK하이닉스의 점유율이 크게 상승할 것으로 예상된다.

시장조사업체 트랜드포스에 따르면 삼성전자는 지난 2분기 기준 글로벌 낸드플래시 시장에서 31.4%의 점유율을 차지하고 있다. SK하이닉스가 인텔로부터 사업을 넘겨받게 되면 단순 수치 상의 합으로는 23.2%를 기록해 2위에 오르게 된다.

삼성전자는 공격적인 투자를 통해 생산 효율은 물론 낸드 플래시 시장에서도 초격차를 이어나간다는 계획이다.

앞서 삼성전자는 지난 6월 약 8조원을 투자해 평택 2공장에 파운드리 라인과 낸드플래시 라인을 신설하겠다고 밝힌 바 있다. 내년 하반기 중 낸드플래시 공장 가동에 들어갈 예정이다. 업계에서는 이곳에서 차세대 V낸드를 생산할 것으로 보고 있다.

이재용 부회장 역시 글로벌 현장 경영을 통해 낸드플래시에 대한 관심을 지속적으로 보이고 있다.

이 부회장은 지난 5월 낸드 플래시를 생산하는 중국 시안 공장에 들러 생산라인을 점검한 바 있다. 당시 삼성전자는 2공장 증설을 통해 생산라인 가동을 앞두고 있었다.

반도체 업계 관계자는 “낸드플래시 등 메모리 시장은 업황 변동성이 심하다”며 “이를 극복하기 위해선 선제적인 투자가 선결돼야 한다”고 설명했다.

삼성전자 경기도 평택캠퍼스 P2라인 전경.ⓒ삼성전자